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에피솔루션, ‘제1회 기술개발인의 날’ 대통령 표창 수상...한국나노기술원 협력 성과

최성민 기자

기사입력 : 2026-10-16 16:16

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경기도 양자-반도체 융합 지원사업 및 기술원 인프라를 활용해 'SPAD·QCL 에피웨이퍼' 국산화

사진: 에피솔루션 제공이미지 확대보기
사진: 에피솔루션 제공
[더파워 최성민 기자] 한국나노기술원(원장 변대석)은 경기도 소재 화합물반도체 기업 ㈜에피솔루션(대표 신재철)이 '제1회 기술개발인의 날' 기념식에서 첨단 광반도체 기술 국산화 공로로 대통령 표창을 수상했다고 밝혔다.

㈜에피솔루션은 수입 의존도가 높았던 단파장 적외선(SWIR) 대역 단일광자 검출기(SPAD)용 에피웨이퍼와 중적외선 양자폭포레이저(QCL)용 에피웨이퍼를 국내 최초로 자체 설계하고 독자 성장시키는 공정 기술을 확보했다.

이번 표창은 해당 기술 개발 성과를 평가받은 결과로, 한국나노기술원의 기술 지원과 경기도의 반도체·양자 산업 육성 정책이 연계된 산학연 협력 사례로 꼽힌다.

㈜에피솔루션은 '경기도 양자-반도체 융합산업 경쟁력 강화 사업'에 2년 연속 선정돼 도비를 지원받았다. 회사는 2025년 '양자 센서용 단일광자 검출기 에피웨이퍼 국산화' 과제에 이어 2026년 '장거리 양자센싱용 SWIR 대역 InGaAs SPAD 에피웨이퍼 기술개발' 과제를 수행했다.

한국나노기술원과의 기술 협력을 통한 공정 고도화도 추진됐다. ㈜에피솔루션은 2024년 기술원으로부터 '양자폭포레이저 에피 성장' 노하우와 특허 등 3건의 기술을 이전받았다. 이어 2026년 7월 '저결함·격자정합 InGaAs 에피성장' 노하우를 추가 도입하며 총 4건의 핵심 기술 이전을 완료했다.

지자체와 연구기관의 사업화 지원을 바탕으로 ㈜에피솔루션은 화합물반도체 에피 성장 및 광소자 양산 기술을 개발했다. 이를 통해 양자센싱, 자율주행 라이다(LiDAR), 국방용 지향성 적외선 방해장치(DIRCM) 분야 핵심 소재의 국산 대체 공급망을 구축하고 국내 광반도체 자립화에 기여할 방침이다.

변대석 한국나노기술원장은 "기술원이 보유한 화합물반도체 에피 성장 기술과 인프라가 도내 기업의 기술 국산화로 이어져 뜻깊다"며, "앞으로도 경기도와 함께 기술이전과 오픈 팹 지원을 확대해 도내 양자·광반도체 분야 관련 기업이 글로벌 경쟁력을 갖출 수 있도록 적극 지원하겠다"고 말했다.

최성민 더파워 기자 Sungmin@thepowernews.co.kr
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