[더파워 유연수 기자] SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 신제품 ‘HBM4’ 개발을 성공적으로 완료하고 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 대폭 향상시킨 고성능 메모리로, HBM4는 6세대 제품이다. SK하이닉스는 이번 개발 성과를 통해 글로벌 AI 메모리 시장에서 기술 리더십을 다시 입증했다고 설명했다.
새롭게 양산에 돌입한 HBM4는 2,048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 이전 세대 대비 대역폭을 2배로 확대하고, 전력 효율은 40% 이상 개선했다. 이를 고객 시스템에 적용할 경우 AI 서비스 성능이 최대 69% 향상되고, 데이터센터 전력 비용도 크게 절감할 수 있을 것으로 전망된다. 또 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 표준 속도(8Gbps)를 크게 상회했다.
특히 SK하이닉스는 독자적 공정 기술인 어드밴스드 MR-MUF와 10나노급 5세대(1bnm) D램을 적용해 공정 안정성과 양산성을 동시에 확보했다. MR-MUF 공정은 칩 적층 과정에서 휨 현상을 줄이고 열 방출 효율을 높여 안정적인 대량 생산에 기여한다.
조주환 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계의 새로운 이정표”라며 “고객이 요구하는 성능·효율·신뢰성을 충족하는 제품을 적시에 공급해 경쟁 우위를 확보하겠다”고 말했다.
김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점이 될 것”이라며 “SK하이닉스는 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다”고 밝혔다.
유연수 더파워 기자 news@thepowernews.co.kr
